工商時報【涂志豪╱台北報導】

大陸西安變電廠爆炸造成當地三星晶圓廠、美光及力成封測廠出現電力閃斷及電功下降,預期將對記憶體市場供給造成影響,記憶體業界昨(20)日均以「西安事變」來形容此次跳電危機,而包括DRAM及NAND Flash報價也出現難得一見的全面上漲行情。

三星、美光、力成等業者昨日指出,對後續供貨情況不會有太大影響。但記憶體業界人士表示,半導體業界在過去10年當中,有關記憶體晶圓廠或封測廠發生電力閃斷的事件後,都出現供貨吃緊問題,因為半導體設二手車貸款利率 備機台跟電腦一樣,電力閃斷就好像插頭拔起幾秒再插回一樣,設備就會當機或參數跑掉,至少也要1~2周時間才有辦法回復原本正常運作。

所以,通路商青年房貸首購 預期後續DRAM及NAND Flash供貨可能吃緊,昨日均開始提高庫存水位,根據台灣、香港、深圳三地的昨日現貨報價,NAND隨身碟及記憶卡價格漲幅最大,32GB/64GB USB 3.0隨身碟公板價格漲幅達5~10%,16GB/32GB MicroSD卡價格漲幅達3~5%,32GB/64GB MLC規格NAND Flash晶片漲幅達1~3%。在DRAM部分,深圳地區DRAM模朋友借錢 薪轉貸款 組平均漲幅達3~5%左右,DDR3顆粒價格則出現1%左右漲幅。

集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange則表示,第3季NAND Flash供貨吃緊的態勢愈發明顯,TLC規格晶圓與記憶卡價格自4月初以來已連續3個月份逐步走揚,由於時間上已進入智慧型手機備貨旺季,三星西安廠短暫跳電導致供不應求小額信貸銀行比較 預期心理,將導致第3季NAND Flash市況火熱。

DRAMeXchange研究協理楊文得表示,NAND Flash原廠持續降低對於通路的供貨比重,來滿足eMMC/eMCP、固態硬碟(SSD)的需求,並同時積極轉進3D NAND,讓2D NAND的產出持續下滑,因此現貨與通路市場的貨源更顯緊縮。DRAMeXchange預估2016年第3季的TLC晶圓及記憶卡現貨等價格將持續調漲,第4季的NAND Flash的市況將視蘋果新一代iPhone與其他品牌智慧型手機新品上市後的銷澎湖當舖 售力道而定。

集邦指出,西安18日變電站爆炸,使三星西安廠短暫停電數秒,在工程師搶修設備,並快速進行線上晶圓損害清查後,目前部分產能已恢復生產。楊文得指出,依照事發當日部分產能已能恢復生產的進度來看,此次停電對三星NAND Flash的產出影響有限,預估當日其線上受損晶圓(Wafer-In-Process)片數約略在1萬片以內,此缺口透過增加投片及縮短部分製程可以彌補,但此事件恐將加深第3季NAND Flash供不應求的預期性心理。

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